Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.